富士通開發(fā)史上超小型封裝串行FRAM
2020-04-07 09:27:26
富士通是一家通過不斷創(chuàng)新全球化信息通信技術(shù)的公司。眾多的標(biāo)志性成果和產(chǎn)品里程碑將富士通塑造成為現(xiàn)在這樣一家在ICT領(lǐng)域領(lǐng)先的公司。富士通為廣大用戶開發(fā)了眾多的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。還開發(fā)出業(yè)界中具有超小型封裝尺寸的1Mbit 串行
FRAM——MB85RS1MT，這是一款有8引腳晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WL-CSP）的產(chǎn)品，與傳統(tǒng)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOP封裝相比，此款WL-CSP大約為SOP的23%，能夠減少約77%的安裝面積。而且本W(wǎng)L-CSP的厚度為0.33mm，約是信用卡的一半，從安裝體積比來看，能夠減少大約95%的體積。 是
富士通半導(dǎo)體提供的最大密度容量的串口FRAM。
MB85RS1MT是131,072字x 8位FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），使用鐵電工藝形成非易失性存儲(chǔ)單元，并采用硅柵CMOS工藝，采用串行外圍設(shè)備接口（SPI）?？梢员Ａ魯?shù)據(jù)，而無需使用數(shù)據(jù)備份電池，例如
SRAM。使用的存儲(chǔ)單元可以執(zhí)行1013次寫/讀操作，大大超過了閃存或E2PROM可以重寫的次數(shù)。不需要像閃存和E2PROM這樣的長(zhǎng)寫入時(shí)間，并且寫入等待時(shí)間為零。 因此，無需等待寫入完成序列。
另外與同為非易失性存儲(chǔ)器的通用EEPROM相比，MB85RS1MT的寫入時(shí)間較短，從而能夠大幅降低寫入時(shí)的功耗。
寫入時(shí)的功耗對(duì)比
因此將該FRAM引入需要頻繁實(shí)時(shí)記錄原始數(shù)據(jù)的可穿戴設(shè)備，將有利于延長(zhǎng)電池的使用壽命或?qū)崿F(xiàn)電池的小型化。
本文關(guān)鍵詞： FRAM
上一篇文章：新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)低功耗
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